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GPA030A135MN-FDR

SEMIQ
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制造商编号:
GPA030A135MN-FDR
制造商:
SEMIQ
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
渠道:
digikey

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规格参数

属性
参数值

制造商型号

GPA030A135MN-FDR

制造商

SEMIQ

商品描述

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

包装

Tube

系列

-

零件状态

Active

IGBT 类型

Trench Field Stop

电压 - 集射极击穿(最大值)

1350V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

60A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)

90A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

2.4V @ 15V, 30A

功率 - 最大值

329W

开关能量

4.4mJ (on), 1.18mJ (off)

输入类型

Standard

栅极电荷

300nC

25°C 时 Td(开/关)值

30ns/145ns

测试条件

600V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢复时间(trr)

450ns

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/外壳

TO-3

供应商器件封装

TO-3PN

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型号:GPA030A135MN-FDR

品牌:SEMIQ

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