SI3993CDV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3993CDV-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.508569 | ￥7.51 |
| 10 | ￥6.431868 | ￥64.32 |
| 100 | ￥4.799817 | ￥479.98 |
| 500 | ￥3.771286 | ￥1885.64 |
| 1000 | ￥2.914176 | ￥2914.18 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 133 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SI3993CDV-T1-GE3 同类别型号
注
SI3993CDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI3993CDV-T1-GE3
数据手册PDF。
SI3993CDV-T1-GE3
型号：SI3993CDV-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.508569 |
| 10+： | ￥6.431868 |
| 100+： | ￥4.799817 |
| 500+： | ￥3.771286 |
| 1000+： | ￥2.914176 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.51