SIZF300DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF300DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
- 渠道：
- digikey
库存 ：2826
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.430329 | ￥17.43 |
| 10 | ￥14.21572 | ￥142.16 |
| 100 | ￥11.061116 | ￥1106.11 |
| 500 | ￥9.375232 | ￥4687.62 |
| 1000 | ￥7.637057 | ￥7637.06 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 75 A, 141 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 1.84 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.1 V
栅极电荷 22 nC, 62 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
正向跨导（Min） 60 S, 90 S
上升时间 40 ns, 53 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZF300DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF300DT-T1-GE3
型号：SIZF300DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2826 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.430329 |
| 10+： | ￥14.21572 |
| 100+： | ￥11.061116 |
| 500+： | ￥9.375232 |
| 1000+： | ￥7.637057 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.43