货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥5.867208 | ¥5.87 |
10 | ¥5.052983 | ¥50.53 |
100 | ¥3.768184 | ¥376.82 |
500 | ¥2.960905 | ¥1480.45 |
1000 | ¥2.287972 | ¥2287.97 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 740 pC
耗散功率 1.09 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 440 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 301 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 582 ns
典型接通延迟时间 131 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN61D8LVTQ-7
型号:DMN61D8LVTQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥5.867208 |
10+: | ¥5.052983 |
100+: | ¥3.768184 |
500+: | ¥2.960905 |
1000+: | ¥2.287972 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.87