货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.72245 | ¥2167.35 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 550 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.9 ns
正向跨导(Min) 1.8 S
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 5 mg
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0DMN62D1LFDQ-7
型号:DMN62D1LFDQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.72245 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00