NTGD3148NT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 70 mOhms, 70 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 3.8 nC

耗散功率 1.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.6 ns, 1.6 ns

正向跨导（Min） 6.2 S, 6.2 S

上升时间 11.2 ns, 11.2 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 12.8 ns, 12.8 ns

典型接通延迟时间 7.4 ns, 7.4 ns

高度 0.94 mm

长度 3 mm

宽度 1.5 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 Power Trench MOSFET

单位重量 20 mg