商品描述
TRANS SJT 650V 16A TO276
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A (Tc) (155°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
105mOhm @ 16A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1534pF @ 35V