货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1.019728 | ¥1.02 |
10 | ¥0.830255 | ¥8.30 |
30 | ¥0.749068 | ¥22.47 |
100 | ¥0.64782 | ¥64.78 |
500 | ¥0.5576 | ¥278.80 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 216 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 3 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIB912DK-GE3
单位重量 96 mg
购物车
0SIB912DK-T1-GE3
型号:SIB912DK-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.019728 |
10+: | ¥0.830255 |
30+: | ¥0.749068 |
100+: | ¥0.64782 |
500+: | ¥0.5576 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.02