货期:(7~10天)
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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.586795 | ¥6.59 |
10 | ¥5.617417 | ¥56.17 |
100 | ¥3.906094 | ¥390.61 |
500 | ¥3.050058 | ¥1525.03 |
1000 | ¥2.479121 | ¥2479.12 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 70 mOhms, 70 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.6 ns, 1.6 ns
正向跨导(Min) 6.2 S, 6.2 S
上升时间 11.2 ns, 11.2 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.8 ns, 12.8 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns, 7.4 ns
高度 0.94 mm
长度 3 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power Trench MOSFET
单位重量 20 mg
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0NTGD3148NT1G
型号:NTGD3148NT1G
品牌:ON
供货:锐单
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1+: | ¥6.586795 |
10+: | ¥5.617417 |
100+: | ¥3.906094 |
500+: | ¥3.050058 |
1000+: | ¥2.479121 |
货期:7-10天
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