MIEB101H1200EH
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- 制造商编号：
- MIEB101H1200EH
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管IGBT
- 商品描述：
- IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1921.060049 | ￥1921.06 |
| 10 | ￥1836.794085 | ￥18367.94 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
配置 Half Bridge
击穿电压(集电极-发射极) 1.2 kV
饱和电压 1.8 V
在25 C的连续集电极电流 183 A
栅极—射极漏泄电流 200 nA
耗散功率 630 W
栅极/发射极最大电压 20 V
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 IGBT Modules
单位重量 300 g
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注
MIEB101H1200EH品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管IGBT
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替代型号
、MIEB101H1200EH
数据手册PDF。
MIEB101H1200EH
型号：MIEB101H1200EH
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1921.060049 |
| 10+： | ￥1836.794085 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥1921.06