SI5509DC-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI5509DC-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- 渠道：
- digikey
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI5509DC-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N and P-Channel
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.1A, 4.8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
52mOhm @ 5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
455pF @ 10V
功率 - 最大值
4.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
SI5509DC-T1-E3 同类别型号
注
SI5509DC-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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SI5509DC-T1-E3
型号：SI5509DC-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
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