SQUN702E-T1_GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQUN702E-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
- 渠道：
- digikey
库存 ：150
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥35.338228 | ￥35.34 |
| 10 | ￥31.730269 | ￥317.30 |
| 25 | ￥29.995483 | ￥749.89 |
| 100 | ￥23.997869 | ￥2399.79 |
| 250 | ￥22.664902 | ￥5666.23 |
| 500 | ￥21.331439 | ￥10665.72 |
| 1000 | ￥18.265044 | ￥18265.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 3 Channel
漏源击穿电压 40 V, 200 V
漏极电流 20 A, 30 A
漏源电阻 9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V, 2.5 V
栅极电荷 14 nC, 23 nC, 30.2 nC
耗散功率 48 W, 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Triple
下降时间 2 ns, 10 ns, 19 ns
正向跨导（Min） 16 S, 19 S, 65 S
上升时间 3 ns, 9 ns, 12 ns
晶体管类型 2 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 22 ns, 43 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
SQUN702E-T1_GE3 同类别型号
注
SQUN702E-T1_GE3
型号：SQUN702E-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：150 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥35.338228 |
| 10+： | ￥31.730269 |
| 25+： | ￥29.995483 |
| 100+： | ￥23.997869 |
| 250+： | ￥22.664902 |
| 500+： | ￥21.331439 |
| 1000+： | ￥18.265044 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥35.34