IPP08CN10L G
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- 制造商编号：
- IPP08CN10L G
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.771585 | ￥21.77 |
| 10 | ￥15.870429 | ￥158.70 |
| 30 | ￥14.78696 | ￥443.61 |
| 100 | ￥13.703492 | ￥1370.35 |
| 500 | ￥13.226493 | ￥6613.25 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP08CN10L G
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 98A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
90nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8610pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
167W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
IPP08CN10L G 同类别型号
注
IPP08CN10L G品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPP08CN10L G
数据手册PDF
。
IPP08CN10L G
型号：IPP08CN10L G
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.771585 |
| 10+： | ￥15.870429 |
| 30+： | ￥14.78696 |
| 100+： | ￥13.703492 |
| 500+： | ￥13.226493 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.77