SIB912DK-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIB912DK-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：66112
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.938698 | ￥6.94 |
| 10 | ￥5.890814 | ￥58.91 |
| 100 | ￥4.091001 | ￥409.10 |
| 500 | ￥3.193784 | ￥1596.89 |
| 1000 | ￥2.595924 | ￥2595.92 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 216 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 3 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIB912DK-GE3
单位重量 96 mg
SIB912DK-T1-GE3 同类别型号
注
SIB912DK-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SIB912DK-T1-GE3
数据手册PDF。
SIB912DK-T1-GE3
型号：SIB912DK-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：66112 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥6.938698 |
| 10+： | ￥5.890814 |
| 100+： | ￥4.091001 |
| 500+： | ￥3.193784 |
| 1000+： | ￥2.595924 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥6.94