SI7956DP-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI7956DP-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.021988 | ￥41.02 |
| 10 | ￥36.882721 | ￥368.83 |
| 100 | ￥30.214176 | ￥3021.42 |
| 500 | ￥25.720786 | ￥12860.39 |
| 1000 | ￥23.241673 | ￥23241.67 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 3.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7956DP-E3
单位重量 506.600 mg
SI7956DP-T1-E3 同类别型号
注
SI7956DP-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI7956DP-T1-E3
数据手册PDF。
SI7956DP-T1-E3
型号：SI7956DP-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.021988 |
| 10+： | ￥36.882721 |
| 100+： | ￥30.214176 |
| 500+： | ￥25.720786 |
| 1000+： | ￥23.241673 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.02