SISF04DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISF04DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：50
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.815711 | ￥15.82 |
| 10 | ￥14.110579 | ￥141.11 |
| 25 | ￥13.39393 | ￥334.85 |
| 100 | ￥10.046683 | ￥1004.67 |
| 250 | ￥9.951048 | ￥2487.76 |
| 500 | ￥8.51602 | ￥4258.01 |
| 1000 | ￥6.937165 | ￥6937.16 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 108 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 69.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 115 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISF04DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISF04DN-T1-GE3
型号：SISF04DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：50 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.815711 |
| 10+： | ￥14.110579 |
| 25+： | ￥13.39393 |
| 100+： | ￥10.046683 |
| 250+： | ￥9.951048 |
| 500+： | ￥8.51602 |
| 1000+： | ￥6.937165 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.82