SQ3585EV-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ3585EV-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：2314
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥50.64989 | ￥50.65 |
| 10 | ￥38.049963 | ￥380.50 |
| 25 | ￥34.899111 | ￥872.48 |
| 100 | ￥31.434884 | ￥3143.49 |
| 250 | ￥29.783009 | ￥7445.75 |
| 500 | ￥28.787278 | ￥14393.64 |
| 1000 | ￥27.967628 | ￥27967.63 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.57 A, 2.5 A
漏源电阻 49 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.5 V
栅极电荷 2.5 nC, 3.5 nC
耗散功率 1.67 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 8 ns, 14 ns
正向跨导（Min） 10 S, 3 S
上升时间 15 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SQ3585EV-T1_GE3 同类别型号
注
SQ3585EV-T1_GE3
型号：SQ3585EV-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：2314 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥50.64989 |
| 10+： | ￥38.049963 |
| 25+： | ￥34.899111 |
| 100+： | ￥31.434884 |
| 250+： | ￥29.783009 |
| 500+： | ￥28.787278 |
| 1000+： | ￥27.967628 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥50.65