CSD88584Q5DC
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥11.145899 | ￥27864.75 |
| 5000 | ￥10.693353 | ￥53466.76 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
CSD88584Q5DC
制造商
TI(德州仪器)
商品描述
MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
NexFET™
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
0.95mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
88nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12400pF @ 20V
功率 - 最大值
12W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
22-PowerTFDFN
供应商器件封装
22-VSON-CLIP (5x6)
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注
CSD88584Q5DC品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD88584Q5DC
型号：CSD88584Q5DC
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥11.145899 |
| 5000+： | ￥10.693353 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00