DMN2014LHAB-7
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- 制造商编号：
- DMN2014LHAB-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.025899 | ￥3077.70 |
| 6000 | ￥0.97374 | ￥5842.44 |
| 9000 | ￥0.904175 | ￥8137.57 |
| 30000 | ￥0.883322 | ￥26499.66 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 710 mV
栅极电荷 16 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
上升时间 15.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 40.9 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
DMN2014LHAB-7 同类别型号
注
DMN2014LHAB-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、DMN2014LHAB-7
数据手册PDF
。
DMN2014LHAB-7
型号：DMN2014LHAB-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.025899 |
| 6000+： | ￥0.97374 |
| 9000+： | ￥0.904175 |
| 30000+： | ￥0.883322 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00