FDS2070N7
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- 制造商编号：
- FDS2070N7
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥9.898816 | ￥98.99 |
| 20 | ￥9.518054 | ￥190.36 |
| 50 | ￥9.137293 | ￥456.86 |
| 100 | ￥8.756697 | ￥875.67 |
| 300 | ￥8.375935 | ￥2512.78 |
| 500 | ￥7.995172 | ￥3997.59 |
| 1000 | ￥7.61441 | ￥7614.41 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDS2070N7
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
78mOhm @ 4.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
53nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.884pF @ 75V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS2070N7 同类别型号
注
FDS2070N7品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FDS2070N7
数据手册PDF。
FDS2070N7
型号：FDS2070N7
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥9.898816 |
| 20+： | ￥9.518054 |
| 50+： | ￥9.137293 |
| 100+： | ￥8.756697 |
| 300+： | ￥8.375935 |
| 500+： | ￥7.995172 |
| 1000+： | ￥7.61441 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00