IRF6648TR1PBF
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- 制造商编号：
- IRF6648TR1PBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：11
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 11 | ￥18.196212 | ￥200.16 |
| 20 | ￥13.647077 | ￥272.94 |
| 50 | ￥10.917595 | ￥545.88 |
| 100 | ￥10.007768 | ￥1000.78 |
| 1000 | ￥9.098106 | ￥9098.11 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6648TR1PBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
86A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2120pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET™ MN
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MN
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注
IRF6648TR1PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRF6648TR1PBF
数据手册PDF。
IRF6648TR1PBF
型号：IRF6648TR1PBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 11+： | ￥18.196212 |
| 20+： | ￥13.647077 |
| 50+： | ￥10.917595 |
| 100+： | ￥10.007768 |
| 1000+： | ￥9.098106 |
货期：7-10天
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