货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥4.395907 | ¥21979.53 |
10000 | ¥4.193047 | ¥41930.47 |
25000 | ¥4.05776 | ¥101444.00 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 65 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC076N04ND SP002594330
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0BSC076N04NDATMA1
型号:BSC076N04NDATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥4.395907 |
10000+: | ¥4.193047 |
25000+: | ¥4.05776 |
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