QS6M3TR
库存 ：124
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥0.753228 | ￥0.75 |
| 30 | ￥0.726327 | ￥21.79 |
| 100 | ￥0.699426 | ￥69.94 |
| 500 | ￥0.645624 | ￥322.81 |
| 1000 | ￥0.618723 | ￥618.72 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 12 ns
上升时间 18 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6M3
QS6M3TR 同类别型号
注
QS6M3TR
型号：QS6M3TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：124 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥0.753228 |
| 30+： | ￥0.726327 |
| 100+： | ￥0.699426 |
| 500+： | ￥0.645624 |
| 1000+： | ￥0.618723 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.75