货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.476431 | ¥7.48 |
10 | ¥6.354966 | ¥63.55 |
100 | ¥4.417326 | ¥441.73 |
500 | ¥3.449128 | ¥1724.56 |
1000 | ¥2.803414 | ¥2803.41 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 12 ns
上升时间 18 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6M3
购物车
0QS6M3TR
型号:QS6M3TR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.476431 |
10+: | ¥6.354966 |
100+: | ¥4.417326 |
500+: | ¥3.449128 |
1000+: | ¥2.803414 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.48