QS6M3TR
库存 ：3023
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.335021 | ￥13.34 |
| 10 | ￥8.334388 | ￥83.34 |
| 100 | ￥5.405229 | ￥540.52 |
| 500 | ￥4.145374 | ￥2072.69 |
| 1000 | ￥3.738959 | ￥3738.96 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V, 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 1.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 18 ns, 12 ns
上升时间 18 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 45 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 10 ns
外形参数
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 QS6M3
QS6M3TR 同类别型号
注
QS6M3TR
型号：QS6M3TR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：3023 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.335021 |
| 10+： | ￥8.334388 |
| 100+： | ￥5.405229 |
| 500+： | ￥4.145374 |
| 1000+： | ￥3.738959 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.34