货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥50.179524 | ¥50.18 |
10 | ¥32.708483 | ¥327.08 |
100 | ¥22.7659 | ¥2276.59 |
500 | ¥18.515939 | ¥9257.97 |
1000 | ¥17.150382 | ¥17150.38 |
2000 | ¥16.499579 | ¥32999.16 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6618TRPBF SP001529242
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6618TRPBF
型号:IRF6618TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥50.179524 |
10+: | ¥32.708483 |
100+: | ¥22.7659 |
500+: | ¥18.515939 |
1000+: | ¥17.150382 |
2000+: | ¥16.499579 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥50.18