FDC3601N
库存 ：1798
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.104541 | ￥8.10 |
| 10 | ￥6.870158 | ￥68.70 |
| 100 | ￥4.776692 | ￥477.67 |
| 500 | ￥3.729835 | ￥1864.92 |
| 1000 | ￥3.031598 | ￥3031.60 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 960 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 3.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC3601N_NL
单位重量 36 mg
FDC3601N 同类别型号
注
FDC3601N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDC3601N
数据手册PDF。
FDC3601N
型号：FDC3601N
品牌：ON
供货：锐单
库存：1798 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.104541 |
| 10+： | ￥6.870158 |
| 100+： | ￥4.776692 |
| 500+： | ￥3.729835 |
| 1000+： | ￥3.031598 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.10