货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥32.471357 | ¥32.47 |
10 | ¥26.975232 | ¥269.75 |
100 | ¥21.470263 | ¥2147.03 |
500 | ¥18.167028 | ¥9083.51 |
1000 | ¥15.414419 | ¥15414.42 |
2000 | ¥14.643698 | ¥29287.40 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6618TRPBF SP001529242
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6618TRPBF
型号:IRF6618TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.471357 |
10+: | ¥26.975232 |
100+: | ¥21.470263 |
500+: | ¥18.167028 |
1000+: | ¥15.414419 |
2000+: | ¥14.643698 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.47