
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.230861 | ¥37.23 |
| 10 | ¥30.929139 | ¥309.29 |
| 100 | ¥24.617277 | ¥2461.73 |
| 500 | ¥20.829869 | ¥10414.93 |
| 1000 | ¥17.673795 | ¥17673.79 |
| 2000 | ¥16.790106 | ¥33580.21 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 170 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF6618TRPBF SP001529242
单位重量 500 mg
购物车
0IRF6618TRPBF
型号:IRF6618TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.230861 |
| 10+: | ¥30.929139 |
| 100+: | ¥24.617277 |
| 500+: | ¥20.829869 |
| 1000+: | ¥17.673795 |
| 2000+: | ¥16.790106 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.23