
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥22.859447 | ¥22.86 |
| 10 | ¥18.759035 | ¥187.59 |
| 100 | ¥14.584329 | ¥1458.43 |
| 500 | ¥12.36239 | ¥6181.19 |
| 1000 | ¥10.070445 | ¥10070.44 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 4.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD50N04-5M6_T4GE3
型号:SQD50N04-5M6_T4GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥22.859447 |
| 10+: | ¥18.759035 |
| 100+: | ¥14.584329 |
| 500+: | ¥12.36239 |
| 1000+: | ¥10.070445 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.86