IPB180N06S4H1ATMA2
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- 制造商编号：
- IPB180N06S4H1ATMA2
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.339198 | ￥17.34 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 270 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 30 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180N06S4-H1 SP001028786
单位重量 1.600 g
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注
IPB180N06S4H1ATMA2品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
IPB180N06S4H1ATMA2
型号：IPB180N06S4H1ATMA2
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.339198 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.34