MCH6664-TL-W
库存 ：2122
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 641 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.4 ns
正向跨导（Min） 1.3 S
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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注
MCH6664-TL-W品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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MCH6664-TL-W
型号：MCH6664-TL-W
品牌：ON
供货：锐单
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