EPC2105ENGRT
库存 ：222
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起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥92.052377 | ￥92.05 |
| 10 | ￥83.156039 | ￥831.56 |
| 25 | ￥79.281191 | ￥1982.03 |
| 100 | ￥65.746402 | ￥6574.64 |
| 250 | ￥61.878966 | ￥15469.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2105ENGRT
制造商
EPS
商品描述
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
14.5mOhm @ 20A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
2.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
300pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
Die
供应商器件封装
Die
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注
EPC2105ENGRT
型号：EPC2105ENGRT
品牌：EPS
供货：锐单
库存：222 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥92.052377 |
| 10+： | ￥83.156039 |
| 25+： | ￥79.281191 |
| 100+： | ￥65.746402 |
| 250+： | ￥61.878966 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥92.05