货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥34.297462 | ¥34.30 |
10 | ¥30.759408 | ¥307.59 |
100 | ¥24.725462 | ¥2472.55 |
500 | ¥20.314206 | ¥10157.10 |
1000 | ¥16.83175 | ¥16831.75 |
2000 | ¥15.670932 | ¥31341.86 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC028N06NST SP001666498
单位重量 104.400 mg
购物车
0BSC028N06NSTATMA1
型号:BSC028N06NSTATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥34.297462 |
10+: | ¥30.759408 |
100+: | ¥24.725462 |
500+: | ¥20.314206 |
1000+: | ¥16.83175 |
2000+: | ¥15.670932 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥34.30