货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.707104 | ¥6.71 |
10 | ¥5.781985 | ¥57.82 |
100 | ¥4.317986 | ¥431.80 |
500 | ¥3.392407 | ¥1696.20 |
1000 | ¥2.621552 | ¥2621.55 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 68 mOhms, 108 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 7.5 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.400 mg
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0CSD75208W1015
型号:CSD75208W1015
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.707104 |
10+: | ¥5.781985 |
100+: | ¥4.317986 |
500+: | ¥3.392407 |
1000+: | ¥2.621552 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.71