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制造商 Central Semiconductor
商标名 ATTOmini
商标 Central Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 160 mA, 140 mA
漏源电阻 1.5 Ohms, 4 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 458 pC, 500 pC
耗散功率 125 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 1.3 S, 140 mS
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns, 100 ns
典型接通延迟时间 25 ns, 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 270 mg
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0CMRDM3575 TR PBFREE
型号:CMRDM3575 TR PBFREE
品牌:CENTRAL
供货:锐单
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