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APTM100H45SCTG

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTM100H45SCTG
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
渠道:
digikey

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规格参数

属性
参数值

制造商型号

APTM100H45SCTG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

包装

Bulk

系列

POWER MOS 7®

零件状态

Active

FET 类型

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

1000V (1kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

18A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

540mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

5V @ 2.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

154nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

4350pF @ 25V

功率 - 最大值

357W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP4

供应商器件封装

SP4

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型号:APTM100H45SCTG

品牌:MICROSEMI

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