CSD75208W1015
库存 ：7380
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.690199 | ￥7.69 |
| 10 | ￥6.629482 | ￥66.29 |
| 100 | ￥4.950898 | ￥495.09 |
| 500 | ￥3.88965 | ￥1944.83 |
| 1000 | ￥3.005808 | ￥3005.81 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 68 mOhms, 108 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 7.5 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.400 mg
CSD75208W1015 同类别型号
注
CSD75208W1015品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购CSD75208W1015、查询CSD75208W1015代理商；
CSD75208W1015价格批发咨询客服；这里拥有
CSD75208W1015中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD75208W1015
替代型号
、CSD75208W1015
数据手册PDF
。
CSD75208W1015
型号：CSD75208W1015
品牌：TI
供货：锐单
库存：7380 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.690199 |
| 10+： | ￥6.629482 |
| 100+： | ￥4.950898 |
| 500+： | ￥3.88965 |
| 1000+： | ￥3.005808 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.69