
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥37.00373 | ¥37.00 |
| 10 | ¥30.717381 | ¥307.17 |
| 100 | ¥24.452467 | ¥2445.25 |
| 500 | ¥20.690372 | ¥10345.19 |
| 1000 | ¥17.555628 | ¥17555.63 |
| 2000 | ¥16.677825 | ¥33355.65 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 37 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 38 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC028N06NST SP001666498
单位重量 104.400 mg
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0BSC028N06NSTATMA1
型号:BSC028N06NSTATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥37.00373 |
| 10+: | ¥30.717381 |
| 100+: | ¥24.452467 |
| 500+: | ¥20.690372 |
| 1000+: | ¥17.555628 |
| 2000+: | ¥16.677825 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.00