IPI020N06NAKSA1
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- 制造商编号：
- IPI020N06NAKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
产品 OptiMOS Power
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.8 V
栅极电荷 106 nC
耗散功率 214 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导（Min） 210 S
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 51 ns
典型接通延迟时间 24 ns
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS 3 Power-Transistor
零件号别名 IPI020N06N SP000962132 IPI2N6NXK
单位重量 2.387 g
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注
IPI020N06NAKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
IPI020N06NAKSA1
型号：IPI020N06NAKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00