TSM018NA03CR RLG
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- 制造商编号：
- TSM018NA03CR RLG
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：2500
货期：（7~10天）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥8.928965 | ￥22322.41 |
| 5000 | ￥8.11719 | ￥40585.95 |
| 12500 | ￥7.742612 | ￥96782.65 |
| 25000 | ￥7.492844 | ￥187321.10 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM018NA03CR RLG
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
185A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.8mOhm @ 29A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3479pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
TSM018NA03CR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、TSM018NA03CR RLG
数据手册PDF。
TSM018NA03CR RLG
型号：TSM018NA03CR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：2500 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥8.928965 |
| 5000+： | ￥8.11719 |
| 12500+： | ￥7.742612 |
| 25000+： | ￥7.492844 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00