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TSM018NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
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制造商编号:
TSM018NA03CR RLG
制造商:
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
渠道:
digikey

库存 :2500

货期:(7~10天)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 7.787508 19468.77
5000 7.079508 35397.54
12500 6.752815 84410.19
25000 6.534977 163374.42

规格参数

属性
参数值

制造商型号

TSM018NA03CR RLG

制造商

Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)

商品描述

MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

-

零件状态

Not For New Designs

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

185A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

1.8mOhm @ 29A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

56nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

3479pF @ 15V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

104W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

8-PDFN (5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

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TSM018NA03CR RLG

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型号:TSM018NA03CR RLG

品牌:Taiwan Semiconductor

供货:锐单

库存:2500 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥7.787508
5000+: ¥7.079508
12500+: ¥6.752815
25000+: ¥6.534977

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