APTM100A13DG
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- 制造商编号：
- APTM100A13DG
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：100
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 100 | ￥2187.230917 | ￥218723.09 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APTM100A13DG
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
1000V (1kV)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
65A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
156mOhm @ 32.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
562nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
15200pF @ 25V
功率 - 最大值
1250W
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6
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注
APTM100A13DG品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
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。
APTM100A13DG
型号：APTM100A13DG
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 100+： | ￥2187.230917 |
货期：7-10天
+ -
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