SISF02DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISF02DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥9.106479 | ￥27319.44 |
| 6000 | ￥8.278553 | ￥49671.32 |
| 15000 | ￥7.896465 | ￥118446.98 |
| 30000 | ￥7.641741 | ￥229252.23 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 2.15 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 105 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 24 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISF02DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISF02DN-T1-GE3
型号：SISF02DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥9.106479 |
| 6000+： | ￥8.278553 |
| 15000+： | ￥7.896465 |
| 30000+： | ￥7.641741 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00