货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥136.021781 | ¥136.02 |
30 | ¥91.292004 | ¥2738.76 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1700 V
栅极/发射极最大电压 20 V
耗散功率 360 W
集电极连续电流(Max) 75 A
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
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0IXBH42N170
型号:IXBH42N170
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥136.021781 |
30+: | ¥91.292004 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥136.02