
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥137.31686 | ¥137.32 |
| 30 | ¥92.161205 | ¥2764.84 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1700 V
栅极/发射极最大电压 20 V
耗散功率 360 W
集电极连续电流(Max) 75 A
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 6.500 g
购物车
0IXBH42N170
型号:IXBH42N170
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥137.31686 |
| 30+: | ¥92.161205 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥137.32