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起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
50 | ¥15.064653 | ¥753.23 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 140 A
漏源电阻 3.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 111.7 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41.6 ns
上升时间 30.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79.7 ns
典型接通延迟时间 29.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMTH10H005SCT
型号:DMTH10H005SCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
50+: | ¥15.064653 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00