SIZF360DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF360DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥9.40045 | ￥28201.35 |
| 6000 | ￥8.545862 | ￥51275.17 |
| 15000 | ￥8.151439 | ￥122271.58 |
| 30000 | ￥7.888488 | ￥236654.64 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 83 A, 143 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 1.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 14.4 nC, 41 nC
耗散功率 52 W, 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 40 ns, 53 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZF360DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF360DT-T1-GE3
型号：SIZF360DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥9.40045 |
| 6000+： | ￥8.545862 |
| 15000+： | ￥8.151439 |
| 30000+： | ￥7.888488 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00