货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥536.284262 | ¥536.28 |
10 | ¥500.277642 | ¥5002.78 |
100 | ¥434.37693 | ¥43437.69 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
商标名 BIMOSFET
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 2.5 kV
饱和电压 3.3 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 55 A
耗散功率 300 W
集电极连续电流(Max) 55 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 100 nA
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 1.600 g
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0IXBX25N250
型号:IXBX25N250
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥536.284262 |
10+: | ¥500.277642 |
100+: | ¥434.37693 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥536.28