SIZF360DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF360DT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
- 渠道：
- digikey
库存 ：50
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.675683 | ￥21.68 |
| 10 | ￥19.394779 | ￥193.95 |
| 25 | ￥18.405913 | ￥460.15 |
| 100 | ￥13.804435 | ￥1380.44 |
| 250 | ￥13.672965 | ￥3418.24 |
| 500 | ￥11.700903 | ￥5850.45 |
| 1000 | ￥9.531634 | ￥9531.63 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 83 A, 143 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 1.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 14.4 nC, 41 nC
耗散功率 52 W, 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 40 ns, 53 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
SIZF360DT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZF360DT-T1-GE3
型号：SIZF360DT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：50 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.675683 |
| 10+： | ￥19.394779 |
| 25+： | ￥18.405913 |
| 100+： | ￥13.804435 |
| 250+： | ￥13.672965 |
| 500+： | ￥11.700903 |
| 1000+： | ￥9.531634 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.68