货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.904716 | ¥18.90 |
10 | ¥16.915397 | ¥169.15 |
25 | ¥16.052946 | ¥401.32 |
100 | ¥12.039709 | ¥1203.97 |
250 | ¥11.925046 | ¥2981.26 |
500 | ¥10.205088 | ¥5102.54 |
1000 | ¥8.313133 | ¥8313.13 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 83 A, 143 A
漏源电阻 4.5 mOhms, 1.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 14.4 nC, 41 nC
耗散功率 52 W, 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 12 ns
上升时间 40 ns, 53 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
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0SIZF360DT-T1-GE3
型号:SIZF360DT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.904716 |
10+: | ¥16.915397 |
25+: | ¥16.052946 |
100+: | ¥12.039709 |
250+: | ¥11.925046 |
500+: | ¥10.205088 |
1000+: | ¥8.313133 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.90