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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.1 A, 3.9 A
漏源电阻 17 mOhms, 37 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV, 1 V
栅极电荷 23.1 nC, 20.8 nC
耗散功率 1.36 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.9 ns, 25.4 ns
上升时间 7.4 ns, 12.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18.8 ns, 30.7 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns, 5.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMC1030UFDBQ-7
型号:DMC1030UFDBQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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