SIZ980BDT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ980BDT-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
- 渠道：
- digikey
库存 ：100
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥22.38404 | ￥22.38 |
| 10 | ￥20.003964 | ￥200.04 |
| 25 | ￥18.983932 | ￥474.60 |
| 100 | ￥14.236533 | ￥1423.65 |
| 250 | ￥14.100245 | ￥3525.06 |
| 500 | ￥12.066697 | ￥6033.35 |
| 1000 | ￥9.829568 | ￥9829.57 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 54.8 A, 197 A
漏源电阻 4.39 mOhms, 1.06 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V, 1.1 V
栅极电荷 18 nC, 79 nC
耗散功率 20 W, 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
SIZ980BDT-T1-GE3 同类别型号
注
SIZ980BDT-T1-GE3
型号：SIZ980BDT-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥22.38404 |
| 10+： | ￥20.003964 |
| 25+： | ￥18.983932 |
| 100+： | ￥14.236533 |
| 250+： | ￥14.100245 |
| 500+： | ￥12.066697 |
| 1000+： | ￥9.829568 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥22.38