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APTMC60TL11CT3AG

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APTMC60TL11CT3AG
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
渠道:
digikey

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数量 价格 总计
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规格参数

属性
参数值

制造商型号

APTMC60TL11CT3AG

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET 功能

Silicon Carbide (SiC)

漏源电压(Vdss)

1200V (1.2kV)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

28A (Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

98mOhm @ 20A, 20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

49nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

950pF @ 1000V

功率 - 最大值

125W

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Chassis Mount

封装/外壳

SP3

供应商器件封装

SP3

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型号:APTMC60TL11CT3AG

品牌:MICROSEMI

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